IXTT110N10L2

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IXTT110N10L2

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

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  • Fr. Teil #IXTT110N10L2
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Linear L2™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 110A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 18mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 260 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 10500 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 600W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-268AA

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