IXTU01N100

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IXTU01N100

MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251

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  • Fr. Teil #IXTU01N100
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 100mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 80Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.9 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 54 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-251AA

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