IXTX4N300P3HV

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IXTX4N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV

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  • Fr. Teil #IXTX4N300P3HV
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Spezifikationen

Supplier IXYS
Package Tube
Series Polar P3™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 3000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 12.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 139 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 960W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247PLUS-HV

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