LND01K1-G

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LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

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  • Fr. Teil #LND01K1-G
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 9 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 330mA (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 0V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(Max) +0.6V, -12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 46 pF @ 5 V
FETFeature Depletion Mode
PowerDissipation(Max) 360mW (Ta)
OperatingTemperature -25°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SOT-23-5

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