MCP04N80-BP

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MCP04N80-BP

MOSFET N-CH

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  • Fr. Teil #MCP04N80-BP
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Spezifikationen

Supplier Micro Commercial Co
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 598 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 63W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220AB

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