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MMBZ15VALT1G
TVS DIODE 12VWM 21VC SOT23-3
- Hersteller
- Fr. Teil #MMBZ15VALT1G
- Paket SOT23-3
- Datenblatt
- Auf Lager3114
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| Type | Zener |
| UnidirectionalChannels | 2 |
| BidirectionalChannels | 1 |
| Voltage-ReverseStandoff(Typ) | 12V |
| Voltage-Breakdown(Min) | 14.25V |
| Voltage-Clamping(Max)@Ipp | 21V |
| Current-PeakPulse(10/1000µs) | 1.9A |
| Power-PeakPulse | 40W |
| PowerLineProtection | No |
| Applications | General Purpose |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Übersicht
Description
Key specifications include a maximum power dissipation of around 500 mW and a low dynamic impedance, which enhances its performance in voltage regulation tasks. The MMBZ15VALT1G is ideal for use in low-voltage power supplies, signal clamping, and circuit protection applications. Its reliability and efficiency make it a popular choice in consumer electronics, automotive, and industrial applications.
When integrating this Zener diode into a circuit, proper attention should be given to its thermal management and maximum ratings to ensure optimal performance and longevity.
Features
1. Zener Voltage: It has a nominal Zener breakdown voltage of 15V, providing stable voltage regulation.
2. Power Dissipation: Rated for a maximum power dissipation of 500 mW, allowing it to handle small loads without overheating.
3. Package Type: Available in a surface-mount SOT-23 package, which is compact and suitable for automated assembly.
4. Temperature Range: Operates effectively over a wide temperature range, typically from -55°C to +150°C, ensuring reliability in various environments.
5. Low Reverse Leakage: Exhibits low reverse leakage current, enhancing performance in power management applications.
6. Fast Response Time: Offers quick response to voltage changes, ideal for transient suppression.
This diode is commonly used in power supply circuits, voltage clamping, and signal level regulation.
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