MRFG35010NT1

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MRFG35010NT1

RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C

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Spezifikationen

Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType pHEMT FET
Frequency 3.55GHz
Gain 10dB
Voltage-Test 12 V
Current-Test 180 mA
Power-Output 9W
Voltage-Rated 15 V
Package/Case PLD-1.5

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