MSC040SMA120S/TR

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MSC040SMA120S/TR

MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268

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  • Fr. Teil #MSC040SMA120S/TR
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 64A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.6V @ 2mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 137 nC @ 20 V
Vgs(Max) +23V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1990 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 303W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-268

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