MSC400SMA330B4

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MSC400SMA330B4

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24

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  • Fr. Teil #MSC400SMA330B4
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 3300 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 520mOhm @ 5A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.97V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 37 nC @ 20 V
Vgs(Max) +23V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 579 pF @ 2400 V
PowerDissipation(Max) 131W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4

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