MSCSM120DHM31CTBL2NG

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MSCSM120DHM31CTBL2NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

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Spezifikationen

Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 79A
RdsOn(Max)@IdVgs 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.8V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 232nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3020pF @ 1000V
Power-Max 310W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

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