MSCSM120DUM042AG

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MSCSM120DUM042AG

PM-MOSFET-SIC-SP6C

  • Hersteller
  • Fr. Teil #MSCSM120DUM042AG
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 495A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 5.2mOhm @ 240A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.8V @ 6mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1392nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 18100pF @ 1000V
Power-Max 2031W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

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