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MSCSM120HM16TBL3NG

PM-MOSFET-SIC-BL3

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Bulk
ProductStatus	Active
FETType	6 N-Channel (Phase Leg)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	150A
RdsOn(Max)@IdVgs	16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	2.8V @ 6mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	464nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	6040pF @ 1000V
Power-Max	560W
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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