MSCSM120HM31CT3AG

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MSCSM120HM31CT3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Tube
ProductStatus Active
FETType 4 N-Channel
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 89A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.8V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 232nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3020pF @ 1000V
Power-Max 395W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

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