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MSCSM120TLM31C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Bulk
ProductStatus	Active
FETType	4 N-Channel (Three Level Inverter)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	89A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	2.8V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	232nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	3020pF @ 1000V
Power-Max	395W (Tc)
OperatingTemperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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