MSCSM170AM039CD3AG

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MSCSM170AM039CD3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

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Spezifikationen

Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N Channel (Phase Leg)
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1700V (1.7kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 523A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 5mOhm @ 270A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 3.3V @ 22.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1602nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 29700pF @ 1000V
Power-Max 2.4kW (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

Versand

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