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MT29F1G16ABBEAH4:E
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- Hersteller
- Fr. Teil #MT29F1G16ABBEAH4:E
- Paket
- Datenblatt
- Auf Lager5110
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Spezifikationen
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | MT29F1G16 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.95V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 63-VFBGA |
| Supplier Device Package | 63-VFBGA (9x11) |
| Packaging | Bulk |
Übersicht
Description
Features
- Density: 1 Gbit (1 Gbit = 128 MB) MLC NAND
- Interface: ONFI-compatible asynchronous NAND interface
- Organization: 2 KB user data per page with ~64 B spare area; 128 pages per block
- Endurance/retention: typical endurance ~10,000 erase cycles; data retention around 10 years
- Voltage: 2.7–3.6 V supply range
- Temperature: extended temperature range (-40°C to 85°C)
- Performance features: multi-plane operation, interleaving, cache program/read
- Reliability: on-die BCH/ ECC support, built-in bad-block management and wear leveling
- Applications: suitable for embedded/industrial flash memory needs requiring robust temperature range
Note: exact page/block counts and timing specs can vary by revision; E suffix indicates extended-temperature grade.
Package
Pinout
- Function: Micron MT29F1G16ABBEAH4:E is a 1 Gbit, x16 NAND flash memory with the standard NAND ONFI interface (DQ[15:0], CLE, ALE, WE#, RE#, CE#, WP#, R/B#, Vcc, GND).
Manufacturer
- Company type: American multinational semiconductor company that designs and manufactures memory and storage products (DRAM, NAND/NOR flash, SSDs), headquartered in Boise, Idaho.
Application
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