MT3S111TU,LF

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MT3S111TU,LF

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 6V
Frequency-Transition 10GHz
NoiseFigure(dBTyp@f) 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gain 12.5dB
Power-Max 800mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 200 @ 30mA, 5V
Current-Collector(Ic)(Max) 100mA
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 3-SMD, Flat Lead

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