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MUN5211T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
- Hersteller
- Fr. Teil #MUN5211T1G
- Paket SC-70-3
- Datenblatt
- Auf Lager3390
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | NPN - Pre-Biased |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 100 mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
| Resistor-Base(R1) | 10 kOhms |
| Resistor-EmitterBase(R2) | 10 kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 35 @ 5mA, 10V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA |
| Power-Max | 202 mW |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SC-70, SOT-323 |
Übersicht
Description
Features
1. High Integration: Combines multiple functionalities into a single chip, reducing board space and complexity.
2. Low Power Consumption: Optimized for energy efficiency, making it suitable for battery-operated devices.
3. Wide Frequency Range: Supports a broad spectrum of operational frequencies, enhancing versatility in applications.
4. Robust Performance: Delivers reliable performance under varying conditions, ensuring stability and longevity.
5. Advanced Interface Options: Supports multiple communication protocols, facilitating easy integration into existing systems.
6. Temperature Tolerance: Designed to operate effectively across a range of temperatures, suitable for industrial applications.
7. Compact Package Size: Small form factor, allowing integration into space-constrained designs.
Overall, the MUN5211T1G is ideal for applications in wireless communication, IoT devices, and embedded systems, providing a blend of efficiency, performance, and flexibility.
Package
Pinout
1. Gate 1 (G1) - Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain 1 (D1) - The drain terminal for the first MOSFET.
3. Source 1 (S1) - The source terminal for the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2) - Controls the second N-channel MOSFET.
5. Drain 2 (D2) - The drain terminal for the second MOSFET.
6. Source 2 (S2) - The source terminal for the second MOSFET.
This device is primarily used for switching applications in power management and signal amplification. Each MOSFET can be independently controlled, making it versatile for various electronic circuit designs.
Manufacturer
Application
Equivalent
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