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MUN5216DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
- Hersteller
- Fr. Teil #MUN5216DW1T1G
- Paket 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Datenblatt MUN5216DW1T1G DataSheet
- Auf Lager6326
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Spezifikationen
| Supplier | onsemi |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 100mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50V |
| Resistor-Base(R1) | 4.7kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 160 @ 5mA, 10V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA |
| Power-Max | 250mW |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Übersicht
Description
Package
Pinout
- Function: Dual NPN transistor array with built-in base resistors (digital transistor). Contains two NPN switches with a shared emitter; each transistor has its own base input through an integrated resistor, suitable for direct logic-level drive to switch loads.
Manufacturer
What kind of company: A multinational American semiconductor company that designs and manufactures a broad range of discrete devices and integrated circuits (e.g., transistors, diodes, MOSFETs, ICs) for automotive, industrial, and consumer electronics.
Application
- General-purpose switching and buffering in microcontroller circuits
- Driving relays, LEDs, and other small loads
- Signal level shifting and logic interfacing
- Compact dual-transistor array solutions for low-component designs (often with built-in base resistors)
Versand
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