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MX0912B351Y

RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Bulk
ProductStatus	Active
TransistorType	NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	20V
Frequency-Transition	1.215GHz
Gain	8dB
Power-Max	960W
Current-Collector(Ic)(Max)	21A
OperatingTemperature	200°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	SOT-439A

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