N0604N-S19-AY

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N0604N-S19-AY

MOSFET N-CH 60V 82A TO220

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  • Fr. Teil #N0604N-S19-AY
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Spezifikationen

Supplier Renesas Electronics America Inc
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 82A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6.5mOhm @ 41A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 75 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4150 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1.5W (Ta), 156W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220 Isolated Tab

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