NCE30P25S

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NCE30P25S

  • HerstellerWuxi NCE Power Semiconductor
  • Fr. Teil #NCE30P25S
  • Paket
  • Datenblatt NCE30P25S DataSheet
  • Auf Lager11474

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Spezifikationen

Manufacturer Wuxi NCE Power Semiconductor
Package SOIC-8
Operating Temperature -55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id) 25A
Pd - Power Dissipation 3.5W
Drain to Source Voltage 30V
RDS(on) 9mΩ@10V,15A
Type 1 piece P-channel
Gate Charge(Qg) 65nC
Input Capacitance(Ciss@Vds) 3.96nF@15V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 268pF

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