NCE55P04S

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NCE55P04S

  • HerstellerWuxi NCE Power Semiconductor
  • Fr. Teil #NCE55P04S
  • Paket
  • Datenblatt NCE55P04S DataSheet
  • Auf Lager10772

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Spezifikationen

Manufacturer Wuxi NCE Power Semiconductor
Package SOIC-8
Operating Temperature -55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id) 4A
Pd - Power Dissipation 3W
Drain to Source Voltage 55V
RDS(on) 82mΩ@10V,4A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.5V
Type 2 P-Channel
Gate Charge(Qg) 26nC
Input Capacitance(Ciss@Vds) 1.45nF@25V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 110pF

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