NCE60P12K

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NCE60P12K

  • HerstellerWuxi NCE Power Semiconductor
  • Fr. Teil #NCE60P12K
  • Paket
  • Datenblatt NCE60P12K DataSheet
  • Auf Lager16954

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Spezifikationen

Manufacturer Wuxi NCE Power Semiconductor
Package TO-252-2
Operating Temperature -55℃~+175℃
Current - Continuous Drain(Id) 12A
Pd - Power Dissipation 60W
Drain to Source Voltage 60V
RDS(on) 100mΩ@10V,12A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V
Type 1 piece P-channel
Gate Charge(Qg) 37.6nC
Input Capacitance(Ciss@Vds) 1.6307nF@30V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 77.3pF

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