NCE65T360F

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NCE65T360F

  • HerstellerWuxi NCE Power Semiconductor
  • Fr. Teil #NCE65T360F
  • Paket
  • Datenblatt NCE65T360F DataSheet
  • Auf Lager10607

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Spezifikationen

Manufacturer Wuxi NCE Power Semiconductor
Package TO-220F-3
Operating Temperature -55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id) 11.5A
Pd - Power Dissipation 32.6W
Drain to Source Voltage 650V
RDS(on) 360mΩ@10V,7A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V
Type 1 N-channel
Gate Charge(Qg) 19nC@10V
Input Capacitance(Ciss@Vds) 870pF@50V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 1.8pF

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