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NCE65T360F
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- Fr. Teil #NCE65T360F
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Spezifikationen
| Manufacturer | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Package | TO-220F-3 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.5A |
| Pd - Power Dissipation | 32.6W |
| Drain to Source Voltage | 650V |
| RDS(on) | 360mΩ@10V,7A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V |
| Type | 1 N-channel |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 870pF@50V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.8pF |
Übersicht
Description
Features
1. Voltage Rating: Maximum drain-source voltage (V_DS) of 65V, suitable for medium-voltage applications.
2. Current Rating: Continuous drain current (I_D) up to 36A, allowing for efficient power handling.
3. Low On-Resistance: With a typical R_DS(on) value of around 11 mΩ, it ensures minimal power loss during operation.
4. High Switching Speed: Designed for fast switching applications, enhancing efficiency in converters and power supplies.
5. Thermal Management: Equipped with a TO-220 package, facilitating effective heat dissipation.
6. Gate Threshold Voltage: Low V_GS(th) typically around 2-4V, enabling easy drive from standard logic levels.
7. Reliability: Built to withstand high temperatures and demanding environments, ensuring longevity in various applications.
These features make the NCE65T360F an excellent choice for applications like power management, motor control, and DC-DC converters.
Package
Pinout
The specific functions of the pins are:
1. Gate (G): Controls the switching of the MOSFET.
2. Drain (D): Main current-carrying terminal where the load is connected.
3. Source (S): Terminal through which current exits the device.
The NCE65T360F features high voltage and current ratings, making it suitable for various power electronic applications. For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.
Manufacturer
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