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NCEP050N12D
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- Fr. Teil #NCEP050N12D
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Spezifikationen
| Manufacturer | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Package | TO-263 |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130A |
| Pd - Power Dissipation | 220W |
| Drain to Source Voltage | 120V |
| RDS(on) | 4.3mΩ@10V,65A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V |
| Type | 1 N-channel |
| Gate Charge(Qg) | 112nC@10V |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 6880pF@60V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF |
Übersicht
Description
Features
1. Spatial Resolution: 50 km grid spacing, providing detailed regional weather patterns.
2. Temporal Frequency: Data is available at regular intervals, often hourly or every 12 hours, allowing for dynamic analysis of weather changes.
3. Variables: Includes a wide range of atmospheric parameters such as temperature, humidity, wind speed, precipitation, and pressure.
4. Modeling Framework: Based on sophisticated numerical models that simulate atmospheric processes, improving forecasting accuracy.
5. Applications: Useful for meteorological research, climate modeling, and operational weather forecasting.
This dataset supports various applications in environmental science, disaster management, and climate change studies.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET's operation.
2. Drain (D): The main current-carrying terminal.
3. Source (S): The terminal through which current exits the MOSFET.
The typical pin configuration is as follows:
1. Pin 1: Gate
2. Pin 2: Drain
3. Pin 3: Source
4. Pin 4: Source
5. Pin 5: Drain
6. Pin 6: Drain
7. Pin 7: Gate
8. Pin 8: Source
This device is primarily used in applications involving power management, such as DC-DC converters, to switch electrical loads efficiently. Always refer to the specific datasheet for detailed electrical characteristics and applications.
Manufacturer
Application
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