NDD01N60T4G

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NDD01N60T4G

MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

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  • Fr. Teil #NDD01N60T4G
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Spezifikationen

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.7V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 160 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 46W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK

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