NDH8302P

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NDH8302P

P-CHANNEL MOSFET

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 515pF @ 10V
Power-Max 800mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-TSOP (0.130, 3.30mm Width)

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