NDH8521C

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NDH8521C

P-CHANNEL MOSFET

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType N and P-Channel
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.8A (Ta), 2.7A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 33mOhm @ 3.8A, 10V, 70mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V, 27nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 500pF @ 15V, 560pF @ 15V
Power-Max 800mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-TSOP (0.130, 3.30mm Width)

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