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NE5550779A-T1-A
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
- HerstellerRenesas Electronics America Inc
- Fr. Teil #NE5550779A-T1-A
- Paket 4-SMD, Flat Leads
- Datenblatt NE5550779A-T1-A DataSheet
- Auf Lager7823
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Spezifikationen
Package | Bulk |
ProductStatus | Obsolete |
TransistorType | LDMOS |
Frequency | 900MHz |
Gain | 22dB |
Voltage-Test | 7.5 V |
CurrentRating(Amps) | 2.1A |
Current-Test | 140 mA |
Power-Output | 38.5dBm |
Voltage-Rated | 30 V |
Package/Case | 4-SMD, Flat Leads |
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