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NHP120SFT3G
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
- Hersteller
- Fr. Teil #NHP120SFT3G
- Paket SOD-123F
- Datenblatt
- Auf Lager7045
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1 V @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 25 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 500 nA @ 200 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SOD-123F |
| SupplierDevicePackage | SOD-123FL |
Übersicht
Description
Additionally, the device is housed in a compact package, facilitating easy integration into space-constrained designs. Its gate threshold voltage (V_GS(th)) ranges from 1V to 2.5V, allowing for flexible control with low gate drive voltages. The NHP120SFT3G is a reliable choice for engineers seeking high-performance MOSFETs in industrial, automotive, and consumer electronics applications.
Features
1. Voltage Rating: It typically supports a high drain-source voltage, making it suitable for demanding applications.
2. Current Handling: With a substantial continuous drain current rating, it can efficiently handle high load requirements.
3. Low On-Resistance: The device features a low R_DS(on), which minimizes power loss and enhances efficiency in switching applications.
4. Fast Switching Speed: Ideal for high-frequency applications due to its rapid switching capabilities.
5. Thermal Performance: It has a robust thermal resistance, allowing it to operate efficiently under thermal stress.
6. Package Type: Usually available in a compact package, facilitating easy integration into circuit designs.
These features make the NHP120SFT3G suitable for applications like power management, automotive systems, and industrial automation.
Package
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