NTBGS001N06C

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NTBGS001N06C

POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342

  • Hersteller
  • Fr. Teil #NTBGS001N06C
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  • Datenblatt
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 42A (Ta), 342A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V, 12V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.1mOhm @ 112A, 12V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 562µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 139 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 11110 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max) 3.7W (Ta), 245W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK (TO-263)

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