NTBGS002N06C

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NTBGS002N06C

POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211

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  • Fr. Teil #NTBGS002N06C
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Ta), 211A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V, 12V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.1mOhm @ 45A, 12V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 225µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 62.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4620 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max) 3.7W (Ta), 178W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK (TO-263)

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