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NTD18N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- Herstelleronsemi
- Fr. Teil #NTD18N06LT4G
- Paket
- Datenblatt NTD18N06LT4G DataSheet
- Auf Lager4432
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Spezifikationen
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 9A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
Vgs (Max) | ±15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Base Product Number | NTD18 |
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