NTD3055L104-1G

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NTD3055L104-1G

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

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  • Fr. Teil #NTD3055L104-1G
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC,onsemi
Package Bulk,Tube
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V
RdsOn(Max)@IdVgs 104mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 20 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 440 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1.5W (Ta), 48W (Tj)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I-PAK

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