NTD4858N-1G

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NTD4858N-1G

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

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  • Fr. Teil #NTD4858N-1G
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Spezifikationen

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tube,Tube
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11.2A (Ta), 73A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 19.2 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1563 pF @ 12 V
PowerDissipation(Max) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I-PAK

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