NTD4910NT4G

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NTD4910NT4G

MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A DPAK

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Spezifikationen

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8.2A (Ta), 37A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15.4 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1203 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 1.37W (Ta), 27.3W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK

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