NTE2935

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NTE2935

MOSFET N-CH 500V 6.2A TO3PML

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  • Fr. Teil #NTE2935
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Spezifikationen

Supplier NTE Electronics, Inc
Package Bag
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.2A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 850mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 74 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1550 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-3PML

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