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NTE2960

MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Bag
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	900V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	7A
RdsOn(Max)@IdVgs	2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 1mA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1380pF @ 25V
Power-Max	40W
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C
MountingType	Through Hole
Package/Case	TO-220-3 Full Pack

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