NTE464

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NTE464

MOSFET-P CHANNEL AMP/SW

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  • Fr. Teil #NTE464
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Spezifikationen

Supplier NTE Electronics, Inc
Package Bag
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600Ohm @ 0A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 10A
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5000 pF @ 10 V
FETFeature Standard
PowerDissipation(Max) 800mW (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-72

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