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NTHC5513T1G

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

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Spezifikationen

Part Status	Obsolete
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.9A, 2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
Power - Max	1.1W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package	ChipFET™
Base Product Number	NTHC5513
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V

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