NTHL080N120SC1A

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NTHL080N120SC1A

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3

  • Hersteller
  • Fr. Teil #NTHL080N120SC1A
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tube
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 4.3V @ 5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 56 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1670 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 178W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-3

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