NTLJS1102PTAG

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NTLJS1102PTAG

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN

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  • Fr. Teil #NTLJS1102PTAG
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Spezifikationen

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Bulk
Series µCool™
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.7A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.2V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 720mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1585 pF @ 4 V
PowerDissipation(Max) 700mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 6-WDFN (2x2)

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