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NTMC083NP10M5L

MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Power - Max	1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SOIC
Base Product Number	NTMC083
Rds On (Max) @ Id, Vgs	83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V

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