NTMTSC1D6N10MCTXG

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NTMTSC1D6N10MCTXG

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW

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  • Fr. Teil #NTMTSC1D6N10MCTXG
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Spezifikationen

Part Status Active
Base Product Number NTMTSC1
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 650µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7630 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Supplier Device Package 8-TDFNW (8.3x8.4)
Package 8-PowerTDFN
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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