NTMYS2D4N04CTWG

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NTMYS2D4N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK

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  • Fr. Teil #NTMYS2D4N04CTWG
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Ta), 138A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 90µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 32 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.9W (Ta), 83W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage LFPAK4 (5x6)

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