NTTFS1D2N02P1E

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NTTFS1D2N02P1E

MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN

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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 23A (Ta), 180A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 934µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +16V, -12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4040 pF @ 13 V
PowerDissipation(Max) 820mW (Ta), 52W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-PQFN (3.3x3.3)

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