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NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

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Spezifikationen

Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	294mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24.5pF @ 20V
Power - Max	250mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	SOT-563
Base Product Number	NTZD5110
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V

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