NVATS5A112PLZT4G

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NVATS5A112PLZT4G

MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK

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  • Fr. Teil #NVATS5A112PLZT4G
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Spezifikationen

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 27A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 43mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.6V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1450 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 48W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK/ATPAK

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