NVBG045N065SC1

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NVBG045N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

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  • Fr. Teil #NVBG045N065SC1
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 62A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V, 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4.3V @ 8mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 105 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1890 pF @ 325 V
PowerDissipation(Max) 242W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK-7

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